Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
2365 позиций
ЧИП-индуктивность высокочастотная SMD 1005 51нГн ±2% 100мА 820мОм
ЧИП-индуктивность высокочастотная SMD 1005 7.5нГн ±2% 680мА 100мОм
ЧИП-индуктивность высокочастотная SMD 1005 82нГн ±2% 50мА 1.55Ом
ЧИП-индуктивность высокочастотная SMD 0603 6.8нГн ±5% 1.4А 0.042Ом по постоянному току
Индуктивность высокочастотная SMD 120 нГн 400 мА
Индуктивность высокочастотная SMD 240 нГн 350 мА
Индуктивность силовая SMD 22мкГн ±20% 66мОм 5А
Индуктивность высокочастотная SMD 47 нГн 1 мА
Индуктивность проволочная силовая 47 нГн 3 А (SMD)
Индуктивность проволочная силовая 120 нГн 1.5 А (SMD)
SMD индуктивность 100 МГц 0.3 А 11 Ом
Дроссель силовой 15 мкГн 36 А (SMD)
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА RDC 0,1Ом
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 1100мА RDC 0,138Ом
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 10нГн ±5% 500мА RDC 0,29Ом 8Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 2.2нГн ±0.3нГн 900мА, RDC 90мОм 8Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 3.9нГн ±0.3нГн 700мА, RDC 0.13Ом 8Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 7.5нГн ±5% 400мА RDC 0,24Ом 8Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 100нГн ±5% 100мА RDC 1.5Ом 8Q
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 50мА RDC 1,17Ом
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 18нГн ±0.3нГн 1500мА RDC 0,05Ом 12Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 22нГн ±5% 500мА RDC 0,5Ом 12Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 47нГн ±5% 400мА RDC 0,7Ом 12Q
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 6.8нГн ±5% 600мА RDC 0,22Ом 10Q
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 15мА RDC 0,5Ом
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±20% 60мА RDC 0,65Ом
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 1мкГн ±10% 50мА RDC 0,4Ом 45Q
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 220мА RDC 0,26Ом