Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
2366 позиций
ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 100нГн ±5% 100МГц 28Q-Фактор ферр...
Дроссель ферритовый, SMD, 1210, 560нГн, 450мА, 550мОм, Q 30, ±5%
ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.56мкГн ±5% 25.2МГц 30Q-Фактор ф...
ЧИП-индуктивность силовая экранированная серия NR 1 мкГн ±30% 2.1 A 36мОм
ЧИП-индуктивность 100мкГн/3A/190мОм
Индуктивность проволочная силовая неэкранированная 1000мкГн ±15 % 100 кГц 0.56 А 1.8Ом по постоя...
ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 47мкГн ±15% 100кГц 2.6А 86мОм лента на ка...
Силовая SMD индуктивность 1.5мкГн ±20% 5.2A 0.036ом c магнитным экраном лента на катушке
Индуктивность силовая проволочная SMD 82 мкГн 6.5 А
ЧИП-индуктивность многослойная 60Ом 25% 100МГц 3A 30мОм по постоянному току 0805 лента на катушк...
Проволочная SMD индуктивность 33мкГн ±10% 0.88A 0.23Ом по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 10мкГн ±20% 1.44A 0.1Ом по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 2,2мкГн ±20% 4.2A 17мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 12мкГн ±10% 2A 80мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 5.6мкГн ±20% 2.65A 48мОм по постоянному току
Дроссель связанный синфазный 1мкГн ±20% 1.13А 165мОм
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 10мкГн ±10% 100кГц феррит 28A 0.0025Ом по п...
ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 1кГц феррит 520мА 700мОм лен...
ЧИП-индуктивность силовая проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 1кГц феррит 0.35A 1.57Ом лен...
ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная 10мкГн ±20%, 1.44A, 0.08Ом
ЧИП-индуктивность силовая неэкранированная 10мкГн ±10%, 2.3A, 0.07Ом
Силовая индуктивность 10.0*9.0*5.4мм, 330мкГн, 10%, 1.15Ом, 0.52А
Силовая индуктивность 10.3*10.5*4.0мм, 15мкГн, ±20%, 0.05Ом, 3.6А, автомобильного применения AEC...
Силовая SMD индуктивность 10мкГн ±20% 4.45A 0.026 Ом c магнитным экраном
ЧИП-индуктивность силовая экранированная 15мкГн ±20%, 4.5A, 27мОм
ЧИП-индуктивность силовая экранированная 22мкГн ±20%, 3.6A, 43.2мОм
ЧИП-индуктивность силовая экранированная 33мкГн ±20%, 3A, 64.8мОм
ЧИП-индуктивность силовая экранированная 7.6мкГн ±20%, 5.9A, 20мОм
ЧИП-индуктивность силовая 4.7*4.7*3.0мм, 10мкГн, ±20%, 0.1283Ом, 1А (аналог CDRH4D28NP-100NC...