
Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
2405 позиций
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм...
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 650мА DCR 0.24Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1кГц 470мкГн ±10% 80мА DCR 11.8Ом
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 225мА, 1,56Ом по постоянному току, 08...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 160мА, 2,8Ом по постоянному току, 080...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 120мА, 6,63Ом по постоянному току, 08...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 230мА, 1,3Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 80мА, 12Ом по постоянному току, 1206...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 510мА, 0,28Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 160мА, 3Ом по постоянному току, 1206 ...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±20% 340мА, 0,65Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 500нГн ±5% 260mA, 440мОм по постоянному току, 120...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 100мА, 2,5Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 45мА, 12Ом по постоянному току, 1206...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 80мА, 3,8Ом по постоянному току, 1206...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 39мкГн ±10% 55мА, 9,36Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 3,3мкГн ±10% 130мА, 0,61Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±10% 120мА, 1,7Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 300мА, 0,44Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 450мА, 0,39Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 450мА, 0,39Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 100мА, 4,55Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±10% 100мА, 4,55Ом по постоянному току, 1...