Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
2366 позиций
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 180нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 150мА 3.38Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 270нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 110мА 4.94Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 650мА 300мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 350мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,5нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,8нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 500мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мО...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 900мА 150мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм...
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 600мА DCR 0.169Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 650мА DCR 0.24Ом
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1кГц 470мкГн ±10% 80мА DCR 11.8Ом