
Индуктивности и дроссели SMD-исполнения
2560 позиций
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 290мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 410мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 450мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 510мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.0нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 70мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.5нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 80мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.4нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 0.1Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,7нГн ±0,3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 100мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 39нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.06Ом п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.0нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 110мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.6нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 0.13Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 250мА 1.15Ом...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.3нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 150мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 56нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.2Ом ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.1нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 160мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 68нГн ± 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 210мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7.5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 240мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм ...