Renesas представила 650 В GaN-FET нового поколения: решение для центров обработки данных и мощных зарядных систем

  Компания Renesas Electronics, один из мировых лидеров в области полупроводников и силовой электроники, объявила о выпуске нового семейства 650-вольтовых транзисторов на нитриде галлия (GaN-FET) под названием SuperGaN Gen IV Plus. Эти устройства ориентированы на применение в высокоплотных и энергоэффективных системах, включая центры обработки данных (ЦОД), сервера, зарядные станции для электромобилей и передовую силовую инфраструктуру.
  Новое поколение SuperGaN FET разрабатывалось с учётом требований к повышенной энергоэффективности, уменьшению тепловых потерь и компактности компонентов, что делает их оптимальными для высоконагруженных приложений, где критичны размеры, тепловыделение и надёжность.

Возврат к списку