ООО "Компания "Альтоникс"
+7 (495) 120-80-22 +7 (473) 300-35-85 +7 (900) 303-50-05
С праздником Народного Единства!

Дорогие друзья!

4 ноября День народного единства

Пусть каждый импульс микросхемы и каждая искра электричества напоминают о сплоченности и взаимовыручке.

Желаем Вам стабильного напряжения, вдохновения, бесперебойного тока, идей и надежного заземления, уверенности в себе.

С праздником Вас, коллеги!

Новое поступление

У нас хорошие новости!


На нашем склад поступили соединители ОНЦ-БМ-1-102/27-Р12-1-В в количестве 5 штук.


Соединители типа ОНЦ-БМ-1 и ОНЦ-БМ-2 предназначены для работы в электрических цепях постоянного, переменного (частотой до 3 МГц) и импульсного токов.
Соединители состоят из герметичной приборной вилки и негерметичной кабельной розетки и имеют многошпоночную поляризацию корпусов и многопозиционную установку изоляторов, защищающую от несанкционированного сочленения. 10-ти и 19-ти контактные соединители имеют однопозиционную поляризацию.


Будем рады ответить на все Ваши вопросы и помочь с выбором!

По поводу приобретения, направляйте запрос на электронную почту info@altonix.ru

Первоскитный мемристор

Новый прорыв в микроэлектронике: российские и китайские учёные представили стабильный перовскитный мемристор

Учёные из Университета ИТМО, ФТИ имени А.Ф. Иоффе и Харбинского инженерного университета сделали важный шаг вперёд в разработке устойчивых и экономичных компонентов электроники будущего — перовскитных мемристоров. Этот инновационный элемент станет основой для новых поколений мощных и миниатюрных процессоров, оптимизированных для искусственного интеллекта и машинного обучения.


Почему мемристоры важны? 


Мемристор — электронное устройство, которое способно менять своё сопротивление и сохранять память о предыдущих состояниях, позволяя проводить вычисления и хранение данных одновременно. Традиционные кремниевые транзисторы уступают мемристорам в эффективности потребления энергии и плотности упаковки.


Однако широкое применение мемристоров долгое время тормозилось из-за проблем стабильности материала. Российско-китайская команда исследователей решила эту проблему, создав уникальный перовскитный мемристор, выдерживающий более 1,5 тысяч циклов перезаписи и сохраняющий стабильность в течение многих месяцев при комнатной температуре.


Новый компонент демонстрирует исключительную эффективность энергопотребления: менее 80 нановатт для обработки сигналов в единичном устройстве площадью около 130–160 нм2. Такие характеристики позволяют собрать сотни тысяч элементов на площади в несколько квадратных миллиметров, открывая перспективы для создания принципиально новых решений в области ИИ.


Перспективы внедрения


* Создание высокопроизводительных и энергосберегающих процессоров для мобильных устройств и серверов.

* Применение в интеллектуальных системах управления промышленностью, транспортом и медицинскими приборами.

* Использование в передовых технологиях солнечной энергетики и светоизлучающих дисплеях.

Новое поступление

На склад поступила панель оператора EA9-T6CL от AutomationDirect



Панель оператора EA9-T6CL от AutomationDirect предназначена для управления и мониторинга автоматизированных процессов в промышленных и коммерческих системах. Это устройство — сенсорный интерфейс (HMI), который обеспечивает визуализацию данных и параметров процессов, а также уведомления и предупреждения. 

Renesas представила 650 В GaN-FET нового поколения

Renesas представила 650 В GaN-FET нового поколения: решение для центров обработки данных и мощных зарядных систем


  Компания Renesas Electronics, один из мировых лидеров в области полупроводников и силовой электроники, объявила о выпуске нового семейства 650-вольтовых транзисторов на нитриде галлия (GaN-FET) под названием SuperGaN Gen IV Plus. Эти устройства ориентированы на применение в высокоплотных и энергоэффективных системах, включая центры обработки данных (ЦОД), сервера, зарядные станции для электромобилей и передовую силовую инфраструктуру.
  Новое поколение SuperGaN FET разрабатывалось с учётом требований к повышенной энергоэффективности, уменьшению тепловых потерь и компактности компонентов, что делает их оптимальными для высоконагруженных приложений, где критичны размеры, тепловыделение и надёжность.