Найденно элементов - 2276
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 210мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 450мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 290мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 410мОм п...
Светодиод smd 3,2х1,6мм/зеленый/568нм/18-70мкд/прозрачный/120°
Светодиод smd 3х1мм/красный/630нм/120-300мкд - зеленый/568нм/8-15мкд/прозрачный/140°/угловой
Светодиод smd 3,2х1,6мм/желтый/590нм/30-50мкд/прозрачный/120°
Светодиод smd 3,2х1,6мм/зеленый/570нм/10-40мкд/прозрачный/120°
Светодиод smd 2х1,25мм/желтый/588нм/2.6-8мкд/прозрачный/120°
Светодиод smd 2х1,25мм/зеленый/568нм/3-12мкд/120°
Светодиод smd 1,6х0,8мм/зеленый/525нм/280-450мкд/прозрачный/120°
Динамическое ОЗУ 256Мбит 32Mx8 электропитание 3.3В 54-Pin TSOP-II
Память SDRAM 256 Mбит 16М х 16
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 60А, 187 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 75 А, 270 Вт
Светодиод SMD 1206 жёлтый 586нм матовый 3.2*1.1*1.6мм
Светодиод smd 2х1,25мм/желтый/586нм/2.8-8мкд/прозрачный/170°