Найденно элементов - 2276
Чип индуктивность проволочная с ферритовым сердечником 22мкГн ±20% 1100мА, 0,087Ом по постоянном...
Чип индуктивность проволочная экранированная 4,7мкГн ±20% 1700мА, 0,96Ом по постоянному току, 15...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн 20% 1МГц Ferrite 1.2A 190мОм по постоянном...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 330мкГн ±10% 95мА, 8,2Ом по постоянному току, 181...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 470мкГн ±10% 80мА, 11,8Ом по постоянному току, 18...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 400мА, 0,56Ом по постоянному току, 18...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1000мкГн ±10% 50мА, 25Ом по постоянному току, 181...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±20% 750мА, 0,15Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 22мкГн ±10% 150мА, 2,8Ом по постоянному току, 121...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 280мА, 1,1Ом по постоянному току, 181...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±5% 190мА, 1,8Ом по постоянному току, 1210...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 100мкГн ±5% 80мА, 7Ом по постоянному току, 1210 л...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 470мкГн ±10% 60мА, 19Ом по постоянному току, 1210...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±20% 450мА, 0,2Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±20% 790мА, 0,097Ом по постоянному току, ...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 170мА, 1,3Ом по постоянному току, 121...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 220мкГн ±10% 70мА, 8,4Ом по постоянному току, 121...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2,2мкГн ±20% 600мА, 0,13Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 450мА, 0,39Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±10% 800мА, 0,09Ом по постоянному току, 121...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 450мА, 0,39Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 230мА, 1,3Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мО...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм п...