Найденно элементов - 2276
Светодиод smd 1,6х0,8мм/красный/631нм/18-180мкд/прозрачный/130°
Светодиод smd 2х1,25мм/зеленый/571нм/18-35мкд/прозрачный/130°
Светодиод smd 2х1,25мм/красный/631нм/18-54мкд/прозрачный/130°
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 160мА, 2,8Ом по постоянному току, 080...
ЧИП-индуктивность общего назначения проволочная формованная 1мкГн ±5% 7.96МГц 30Q-Фактор феррит ...
Проволочная чип индуктивность 0805 22nH ±5% Ir=700mA 0.08 Ohms
EMI фильтр емкостной 0.022uF +50/-20% 50VDC 2A Flat Style SMD 1205 T/R
ЧИП-индуктивность 10мкГн ±10% 2.52МГц 10Q-фактор феррит 650мА 1812 блистер лента на катушке
ЧИП-предохранитель с задержкой 1A 63В типоразмер 1206 лента на катушке
Проволочная SMD индуктивность 39нГн ±2% 250мА 700мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,2нГн 700мА 90мОм по постоянному току
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 300мА, 0,44Ом по постоянному току, 12...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 80мА 0,3Ом по постоян...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.0нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1000мА 70мОм...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 750мА 0,3Ом по постоя...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 330мкГн ±5% 65мА, 13Ом по постоянному току, 1210 ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм ...
Проволочная SMD индуктивность 470нГн ±2% 75мА 7Ом по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 18нГн ±2% 370мА 270мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 18нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 600мА 370мОм ...
Проволочная SMD индуктивность 15нГн ±2% 460мА 160мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по ...
Проволочная SMD индуктивность 11нГн ±2% 500мА 140мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 120нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.3Ом п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 220мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 200мА 1.25Ом ...
Предохранитель SMD 2.69*6.1мм 6.300A 125V керамический сверхбыстродействующий