Найденно элементов - 5624
Индуктивность силовая проволочная 0.47мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 11.5A 0.0094Ом по посто...
Индуктивность силовая проволочная 10мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 3.2A 0.1319Ом по постоянн...
Индуктивность силовая проволочная 1.5мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 9A 0.0185Ом по постоянно...
Индуктивность силовая проволочная 2.2мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 5.8A 0.0292Ом по постоян...
Дроссель силовой экранированный проволочный 5.6мкГн ±20% 100кГц 4.2A 70.6мОм по постоянному току...
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 4.7мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 3.2A ...
Дроссель силовой экранированный проволочный 1.5мкГн ±20 % 100кГц порошковое железо 3.8А, 0.032Ом...
ЧИП-индуктивность экранированная 1мкГн ±20% 32A 2мОм 5050 лента на катушке
ЧИП-индуктивность экранированная 8,2мкГн ±20% 18A 10,66мОм 6767 лента на катушке
Оптотрансивер IrDA 115.2 kB/s
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 790мА, 3.1Вт
Индуктивность силовая проволочная 0.36мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 31.5A 0.0014Ом по посто...
Индуктивность силовая проволочная 5.6мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 7.4A 28.6мОм по постоянн...
Индуктивность силовая проволочная 4.7мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 8A 0.0226Ом по постоянно...
Индуктивность силовая проволочная 3.3мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 9.2A 17.7мОм по постоянн...
Индуктивность силовая проволочная 10мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 4.7A 0.0712Ом по постоянн...
Индуктивность силовая проволочная 1.5мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 12A 0.009Ом по постоянно...
Индуктивность силовая проволочная 0.47мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 5.6A 0.018Ом по постоян...
Индуктивность силовая проволочная 0.47мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 6.7A 0.015Ом по постоян...
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 5А 3-Pin TO-220AB - рейка/туба
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 47мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 5A 108...
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 33мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 3.2A 1...
Дроссель силовой экранированный проволочный 10мкГн ±20 % 100кГц порошковое железо 5.2А, 0.0599Ом...
Дроссель силовой экранированный проволочный 0.15мкГн ±20% 100кГц порошко...
ЧИП-индуктивность экранированная 4,7мкГн ±20% 8A 30мОм 3232 лента на катушке
Индуктивность силовая проволочная 22мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 12A 0.021Ом по постоянном...
ЧИП-индуктивность экранированная 10мкГн ±20% 3A 105мОм 2525 лента на катушке
Индуктивность SMD силовая экранированная проволочная 10мкГн ±20% 100кГц порошковое железо 5.4A 5...
Катушка индуктивности силовая проволочная экранированная 220нГн ±20% 100кГц порошковое железо 23...
ЧИП-индуктивность экранированная 6,8мкГн ±20% 9A 22мОм 5050 лента на катушке