Найденно элементов - 172
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±30% 1200мА 0,138Ом по пос...
Чип индуктивность проволочная экранированная 0,47мкГн ±30% 2550мА, 0,03Ом по постоянному току, 1...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 950мА 0,2Ом по постоянн...
Чип индуктивность проволочная с ферритовым сердечником 150мкГн ±20% 420мА, 0,63Ом по постоянному...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 120мА 0,35Ом по посто...
Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 350мА, 0,6Ом по постоянному току, 1212 ...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 4,7мкГн ±20% 340мА, 0,65Ом по постоянному току, 1...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 47мкГн ±10% 120мА, 6,63Ом по постоянному току, 08...
Проволочная SMD индуктивность 330нГн ±5% 630мА 250мОм по постоянному току
Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±20% 1.2А, 0,228Ом по постоянному току, 1212...
Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 470нГн ±20% 1МГц 4A 27мОм по постоянному т...
Катушка постоянной индуктивности 470нГн ±20% 1МГц 1.4A
Индуктивность SMD силовая неэкранированная проволочная 330мкГн ±10% 1МГц феррит 60мА 13Ом по пос...
Чип индуктивность проволочная экранированная 47мкГн ±30% 310мА, 2,14Ом по постоянному току, 1210...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±30% 1280мА, 0,19Ом по постоянному току, 121...
Чип индуктивность проволочная экранированная 220мкГн ±20% 240мА, 3,48Ом по постоянному току, 181...
Чип индуктивность проволочная экранированная 22мкГн ±20% 500мА, 0,81Ом по постоянному току, 1210...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2,2мкГн ±20% 1300мА 0,156Ом по пос...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 0,47мкГн ±20% 1100мА, 0,042Ом по постоянному току...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±20% 800мА 0,288Ом по пост...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 15мкГн ±10% 300мА, 0,58Ом по постоянному току, 12...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1,5мкГн ±20% 1500мА 0,088Ом по пос...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 1500мА 0,113Ом по посто...
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 2.2мкГн ±20% 120мА 0,4Ом по постоя...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 1мкГн ±20% 1000мА, 0,06Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная экранированная 10мкГн ±20% 700мА, 0,38Ом по постоянному току, 1210...
Чип индуктивность проволочная экранированная 3,3мкГн ±30% 1200мА, 0,12Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 33мкГн ±10% 160мА, 2,8Ом по постоянному току, 080...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 300мА, 0,44Ом по постоянному току, 12...