Найденно элементов - 2276
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферр...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферр...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферр...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 10мкГн ±5% 2МГц 50Q-Фактор феррит ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор к...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
ЧИП-индуктивность общего назначения проволочная 27нГн ±5% 250МГц 50Q-Фактор керамика 600мА 90мОм...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 220нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор ферри...
Статическое ОЗУ питание 2.5В/3.3В 4Мбит 256К x 16 10нс асинхронное 44-Pin TSOP лоток
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 150нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор ферри...
Проволочная SMD индуктивность 22нГн ±2% 310мА 300мОм по постоянному току
Динамическое-статическое ОЗУ DDR4 4Гбит 256Mx16 1.2В 96-Pin FBGA
Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 560мкГн ±10% 40мА, 28Ом по постоянному току, 1210...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 0,15мкГн ±20% 1450мА, 0,028Ом по постоянному току...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор ферри...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 680мкГн ±10% 65мА, 17Ом по постоянному току, 1812...
Проволочная SMD индуктивность 91нГн ±2% 230мА 640мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,2нГн 1A 27мОм по постоянному току
Многослойнная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 1МГц 4,7мкГн ±30% 800мА 0,288Ом по пост...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 2200мкГн 20% 10kHz Ferrite 100мА 21.5Ом по постоя...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 7.5нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 240мОм ...
SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 4.4 А
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 150мкГн ±10% 130мА, 3,7Ом по постоянному току, 18...
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 150 А, 750 Вт
IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOIC
IC SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP
SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP
IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ