Найденно элементов - 2276
Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 3.3мкГн ±10% 10МГц 45Q-Фактор ферр...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкГн ±10% 10МГц 45Q-Фактор ферр...
Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор ферри...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керам...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор кера...
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор кера...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 680нГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор ферри...
Транзистор биполярный с изолированным затвором IGBT 3000В 40A 160Вт
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 3.9нГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керам...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор фер...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор фер...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.5мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.2мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.8мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 15мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.047мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор фе...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.068мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор фе...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.082мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор фе...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферри...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферр...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор ферр...