Найденно элементов - 748
Артикул: 8542355
Производитель: КВТ
Год выпуска:
Артикул: 8540724
Производитель: IEK
Год выпуска:
Артикул: 8540723
Производитель: IEK
Год выпуска:
Артикул: 8540237
Производитель: IEK
Год выпуска:
Артикул: 8532004
Производитель: Andeli
Год выпуска:
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ XB2-BG33 ЧЕРНЫЙ 3 ПОЛОЖЕНИЯ С КЛЮЧОМ 2НО (ANDE
Артикул: 8502604
Производитель: TDM ELECTRIC
Год выпуска:
Артикул: 8458766
Производитель: КВТ
Год выпуска:
Артикул: 8458767
Производитель: КВТ
Год выпуска:
Артикул: 8458765
Производитель: КВТ
Год выпуска:
ЧИП-индуктивность общего назначения проволочная 8.2нГн ±20% 250МГц 35Q-Фактор керамика 700мА 60м...
ЧИП-индуктивность лазерной намотки 1.2нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика с медным покрытием &...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.001мкГн±0.2нГн 100МГц керамика 1.2...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0015мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0018мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0022мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
Чип-индуктивность 0201, 6.2нГн, ±0.3нГн, Q=4, 0.38Ом, 250мА
Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 900мА 40мОм по постоянному току
Артикул: 5572560
Производитель: Wieland Electric
Год выпуска:
Контактный блок, 2НО контакта
Наконечник болтовой алюминиевый, кольцевой М10 сечение кабеля от 25 до 50мм2
Наконечник болтовой алюминиевый, кольцевой М12 сечение кабеля от 70 до 120мм2
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 2.2нГн ±0.3нГн 900мА, RDC 90мОм 8Q
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 2.5нГн 0.2нГн 100МГц 20Q-Фактор керам...
ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор N...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,2нГн 460мА 160мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...