Найденно элементов - 15390
GD400HFY120C2S, GD400HFY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, аналог CM400DY-24A, SKM400GB12E4
GD450HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss, 1700V, 450A
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, аналог CM450DX-24T
GD50FFX170C5SA, IGBT, 1700V/50A 6 in one-package, аналог для GD50FFT170C5S
GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 600A 2 in one-package, CM60
GD75FFX170C6SA, IGBT модуль , 1700V/75A 6 in one-package, аналог для FS75R17KE3
GD75FFY120C5S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
GD75HHU120C5SD, NPT Ultra Fast IGBT, 1200V/75A 4 in one-package
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A 1700В полумост, =FF800R17KP4_B2, CM800DZ-34H
GD900HFX120P1SA, IGBT модуль 1200В 900А, 5240 Вт, замена GD900HFX120P1S
ULN2003D1013TR, матрица транзисторов NPN 50В 0.5A SO16
ULN2802A, матрица из восьми транзисторов Дарлингтона 500мА 50В PDIP-18
ULN2803A, матрица из восьми транзисторов NPN 500мА 50В DIP-18
DG20X06T2, IGBT - Транзистор, 600V, 42A
STN3P6F6, транзистор P канал 60В 3А 0.16 Ом, SOT-223
STP11NK50ZFP, транзистор TO-220FP-3
STP4NK80Z, Транзисторы и сборки MOSFET
STS10P4LLF6-VB, транзистор P канал 40V 16.1A 10m-@10V,16.1A (SO-8) = STS10P4LLF6
STW15NK50Z, MOSFET транзистор
STW26NM60N, транзистор полевой 600В 20А TO-247
ST13003-K, Биполярный транзистор SOT-32
TIP122, транзистор NPN Darlington 100В 5А ТO-220-3
TIP147T, Биполярный транзистор
TIP31C, Биполярный транзистор TO-220AB
TIP34C, Биполярный транзистор TO3P
TIP42C, Биполярный транзистор 100В 6А TO-220
TIP42C, Биполярный транзистор TO-220AB
BD139-10, Биполярный транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт TO-126
MJD44H11T4, DPAK/TO-252AA