Найденно элементов - 6339
Проволочная чип индуктивность 0805 100nH ±5% Ir=450mA 0.28 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 27nH ±5% Ir=700mA 0.09 Ohms
MKP 0,47uF 10% 1000Vdc 250Vac
Диод Шоттки 45V 15А 0.57V
LED шунт 1А, с ESD защитой
Диод импульсный 400В 1А
Конденсатор металлоплёночный полиэтилентерефталатный 10мкФ 250В ±10%( 31.5х12.5х21.5мм) ...
Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=22В двунаправленный
Проволочная чип индуктивность 0805 2200nH ±5% Ir=130mA 1.6 Ohms
MKP 0.47uF 10% 630Vdc 250Vac e:22,5mm
Энергонезависимая память тип: EEPROM, интефейс: Serial, I2C; 16Kx8, 400kHz, 1.8...5.5V
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.9А 1.8Вт
SMD индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике, экранированная 33uH 15% 1KHz 23Q-Factor...
Источник опорного напряжения, 5.0 В
Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
Диод Шоттки 30V 0.2A 0.6V
Проволочная чип индуктивность 0805 270nH ±5% Ir=270mA 1.0 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 68nH ±5% Ir=500mA 0,18 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 120nH ±5% Ir=440mA 0.31 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 220nH ±5% Ir=320mA 0.7 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 47nH ±5% Ir=600mA, 0.13 Ohms
Проволочная чип индуктивность 0805 470nH ±5% Ir=190mA 1.9 Ohms
ЧИП-индуктивность 100мкГн 1,3A 12.95 x 9.4 x 5.08мм
Проволочная чип индуктивность 0805 39nH ±5%Ir=600mA, 0.12 Ohms
ЧИП-индуктивность проволочная, на ферритовом сердечнике 22мкГн ±15% 1кГц 30-добротность 1.1A 190...
Диод Шоттки 40V 3А 0.45V
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 35A
Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.5 А, 0.225 Вт