Найденно элементов - 4546
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 450мА, 0,39Ом по постоянному току, 12...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 100нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 350мА 900мОм...
Чип индуктивность проволочная неэкранированная 10мкГн ±10% 230мА, 1,3Ом по постоянному току, 120...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 47нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 400мА 700мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 500мА 540мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн 0.3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1000мА 120мО...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 750мА 140мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 650мА 180мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 460мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 280мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 420мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.8нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 210мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 4.7нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 160мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 5.6нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 600мА 180мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.3нГн±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 800мА 120мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 3.9нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 700мА 130мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 33нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 22нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 350мА 580мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 27нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 670мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 15нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 450мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.8нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 80мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 10нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 290мОм п...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 12нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 400мА 410мОм п...
Керамический ЧИП-конденсатор 2220 X7R 0.22мкФ ±10% 630В
Керамический ЧИП-конденсатор 1210 X7R 0.022мкФ ±10% 630В
Керамический ЧИП-конденсатор 1812 X7R 0.47мкФ ±10% 250В
Керамический ЧИП-конденсатор 1210 Y5V 10мкФ от -20% до +80% 25В