FF150R12RT4HOSA1 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Цена от: 7 543.77 ₽
от 1 до 1 шт.
8 234.38/шт.
от 2 до 3 шт.
7 974.25/шт.
от 4 до 9 шт.
7 800.31/шт.
от 10 до 19 шт.
7 647.20/шт.
от 20 шт.
7 543.77/шт.
Доступное количество - 242 шт.
Характеристики
Артикул:
5481194
Производитель:
INF
Тип упаковки - Tray (палетта).
Нормоупаковка - 10.
Вес брутто - 182.2 г.
Корпус - 34 mm.
Описание - IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray.
Нормоупаковка - 10.
Вес брутто - 182.2 г.
Корпус - 34 mm.
Описание - IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray.
Документация