Найденно элементов - 3432
78L12, регулятор напряжения, 12В, 0.1А, 0.5Вт SOT-89-3L (= L78L12ABUTR STM)
F-TLV70018DDCR, высокопроизводительный линейный регулятор [SOT23-5] = TLV70018DDCR (ADI)
L7805ABD2T, 3-х терминальный регулятор положительного напряжения, 5В, 1А [TO-263-2L] = MC7805ABD2TG
MAX232EID, интерфейсный приёмопередатчик стандарта RS-232 (SOIC-16) = DS232AR
OP747ARZ, прецизионный ОУ 4 канала малошумящий SOIC14
LM224D, четырёхкратный операционный усилитель [SOP-14] = LM224DT (STM)
LM2904M, четырёхкратный операционный усилитель (SOIC-8)
LM321MF, одиночный операционный усилитель малой мощности, 32В, 50мА, 1МГц [SOT-23-5]
LM324AM, четверной операционный усилитель [SOP-14] = LM324AD (TI)
LM324M, четверной операционный усилитель [SOP-14] = LM324D (TI)
LM358AM, двойной операционный усилитель [SOP-8] = LM358AD (TI)
LM358M, двойной операционный усилитель [SOP-8] = LM358D (TI)
LMV324MT, операционный CMOS усилитель ввода-вывода Rail-to-Rail с радиочастотным фильтром, 1МГц ...
MCP6001T-I/OT, операционный CMOS усилитель ввода-вывода Rail-to-Rail, 1МГц [SOT-23-5] = &...
MCP6002T-I/SN, операционный CMOS усилитель ввода-вывода Rail-to-Rail, 1МГц [SOIC-8] = ...
MCP6022T-I/SN, операционный CMOS усилитель ввода-вывода Rail-to-Rail, 10МГц [SOIC-8] = &#...
MCP6142T-E/SN, операционный усилитель Rail-to-Rail, 670нА, 100кГц SOP8 = MCP6142-I/SN
OPA2376D, операционный CMOS усилитель с нулевым дрейфом и двойным электропитанием [SOP-8] = OPA2376A
LM258AM, двойной операционный усилитель, 3мВ [SOP-8]
LM258M, двойной операционный усилитель, 7мВ [SOP-8] = LM258D (TI)
UT62256CPCL-70LL, микросхема памяти PDIP28
UT6264CSCL-70LL, микросхема памяти SO28
LM2901M, микросхема из 4 компараторов SOP14 = LM2901DR2G
LM2901MT, микросхема из четырёх компараторов [TSSOP-14] = LM2901DTBR2G, LM2901PW (TI)
LM293M, двойной дифференциальный компаратор [SOP-8] = LM293D (TI)
LM393AM, двойной дифференциальный компаратор [SOP-14] = LM393D (TI)
LMV331IDBVR, двухтактный выходной компаратор сверхнизкой мощности, RRIO, 1.8В [SOT-23-5]
24CL04B-G, энергонезависимая память емкостью 4 Кбит, использующая усовершенствованный сегнетоэлектри