Найденно элементов - 463
Тонкоплёночная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,1нГн 220мА 300мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по...
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,5нГн 650мА 110мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 5,6нГн ±0,2нГн 800мА 51мОм по постоянному току
Тонкоплёночная SMD индуктивность 8,2нГн ±0,1нГн 110мА 1,1Ом по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 8Q-Factor Ceramic 500мА 250мОм ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм ...
Программируемая логическая интегральная схема 980 макроячеек 6.2нс 144TQFP
Программируемая логическая интегральная схема 980 макроячеек 6.2нс 144TQFP
(аналог АРРА 61), дополнительный вход: I пост 1мА…10А, (погрешность ± 0,5 % (баз...
буфер/драйвер с открытым стоком, электропитание 1.65...5.5В, Iп=10мкА, Iвых=24мА, t=4.2нс(+3...