Найденно элементов - 463
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0033мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 23Q-Фактор ...
Чип-индуктивность 0201, 6.2нГн, ±0.3нГн, Q=4, 0.38Ом, 250мА
Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 900мА 40мОм по постоянному току
Артикул: 5572560
Производитель: Wieland Electric
Год выпуска:
Контактный блок, 2НО контакта
Наконечник болтовой алюминиевый, кольцевой М10 сечение кабеля от 25 до 50мм2
Наконечник болтовой алюминиевый, кольцевой М12 сечение кабеля от 70 до 120мм2
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 2.2нГн ±0.3нГн 900мА, RDC 90мОм 8Q
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная проволочная 2.5нГн 0.2нГн 100МГц 20Q-Фактор керам...
ЧИП-индуктивность высокочастотная проволочная неэкранированная 0.0039мкГн±0.2нГн 100МГц 35Q-Фактор N...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Проволочная SMD индуктивность 3,9нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,1нГн 700мА 90мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 1,8нГн ±0,2нГн 460мА 160мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1,2нГн ±0,3нГн 100МГц 12Q-Factor Ceramic 1100мА 100м...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 6.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 300мА 220мОм...
Проволочная SMD индуктивность 3,6нГн ±0,2нГн 850мА 59мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 4,1нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 1,5нГн ±0,2нГн 1A 30мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 4,7нГн ±0,2нГн 750мА 70мОм по постоянному току
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 1.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 1A 70мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн 5% 100МГц 12Q-Factor Ceramic 800мА 200мОм...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 900мА 90мОм по ...
Чип индуктивность многослойная неэкранированная 8.2нГн ±0.3нГн 100МГц 8Q-Factor Ceramic 550мА 240мОм...
Проволочная SMD индуктивность 6,2нГн ±0,5нГн 750мА 82мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 6,8нГн ±0,2нГн 750мА 82мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 2,2нГн ±0,5нГн 700мА 49мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±2% 540мА 140мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 8,2нГн ±5% 540мА 140мОм по постоянному току
Проволочная SMD индуктивность 2,7нГн ±0,2нГн 850мА 50мОм по постоянному току