Найденно элементов - 4201
N channel vertical power FET in Smart SIPMOS technology. Fully protected. 42 V, 1.3 A, 190 m?
Модуль тиристорный 2000А 1600В
Вставка предохранительная, для клемм серии DS-TG, тип предохранителя: G / 5 x 20, 24V, 6,3A, со свет...
Вставка предохранительная, для клемм серии DS-TG, тип предохранителя: G / 5 x 20, 400V, 6,3A, цвет: ...
Резистор силовой толстопленочный 100Ом 100Вт ±5% TO247
Тиристорно-диодный модуль 1600В 285А
Тиристорно-диодный модуль 1800В 285А
Диодно-тиристорный модуль 330А 1400В с витой парой для управления в комплекте
Диодный мост 100 А 1800 В, 1 фаза, -40…125 C
Диодный модуль 1200В 90А
Диодный мост Трехфазный 1200В 160А
Диодный мост Трехфазный 1600В 80А
Диодный модуль 1200В 110А
Тиристорный модуль 160А 1200В
Тиристорно-диодный модуль 1600В 70А
Тиристорно-диодный модуль 1600В 135А
Тиристорно-диодный модуль 1200В 110А
Тиристорно-диодный модуль 1600В 110А
Тиристорно-диодный модуль 1800В 500А
Тиристорно-диодный модуль 1600В 570А
Тиристорно-диодный модуль 1600В 182А
Диодный модуль 2200 В, 200 А
Тиристорный модуль 200А 1600В
Тиристорный модуль 1600В 570А
Диодный модуль 1600В 200А
Тиристорный модуль 1600 В 182А
Тиристорный модуль;1600В 160А;
IGBT модуль 1250В 300 А
Диодный модуль 1800В 1000А
Тиристорный модуль 1600В 800А